通用DRAM涨价放缓，三星、SK 海力士、美光开启HBM4良率攻坚战

费城半导体指数大升逾 4%， SK海力士飙11%， 美光科技 大升 10%。

全球三大存储芯片厂商正式开启第四代高带宽内存（HBM4）良率攻坚战。此前通用DRAM涨价为存储企业业绩提供支撑，但如今其涨幅已然放缓，各家企业试图拉高高利润率HBM产品竞争力，以此最大化经营收益。

业内消息显示，三星电子、SK海力士、美光三大存储巨头均在推行HBM4良率提升战略。HBM4是第六代高带宽内存产品，将搭载于英伟达下半年推出的AI加速芯片Vera Rubin等产品中。

三家企业里，三星电子最先实现HBM4量产，随着产线转入大规模生产阶段，良率提升速度十分可观。业内部分观点认为，三星HBM4良率已提升至70%左右。依托数月量产积累的经验，其良率管控能力大幅改善。三星HBM4良率提升的核心依托自家1C工艺DRAM打底，今年年初该款基础DRAM生产良率就已突破稳定量产门槛80%，为HBM4良率走高提供支撑。

SK海力士暂未对外披露HBM4具体良率数值，但行业普遍判断其良率也已步入稳定区间。为优化HBM4工艺、扩充产能，SK海力士计划引进全新生产设备，目前正与多家HBM设备供应商洽谈下半年设备采购订单。

半导体设备行业高层人士透露：“SK海力士正筹备追加设备采购以扩充HBM4产能，此举主要为改善良率、提升产品供货量。”SK海力士的战略目标是，在HBM4产品上延续自身在HBM市场过半的龙头份额优势。

美光在产能规模上不及韩国两家存储厂商，正因如此，美光正全力提速良率改善与产能扩张。据悉美光已启动大规模设备投资，同步推进良率提升与产能爬坡。

良率的行业意义

良率指全部产出芯片中功能完好、可正常使用产品的占比。良率越高，可对外供货的芯片数量越多，企业盈利随之提升，这也是各大芯片厂商拼尽全力改善良率的根本原因。

HBM4将成为下半年决定存储企业业绩走向的核心产品。通常HBM的营业利润率远高于通用DRAM，但此前受通用DRAM供给短缺影响，一度出现利润率倒挂的特殊现象——厂商售卖服务器、电脑、手机用通用DRAM，利润反而高于HBM。

不过市场预判通用DRAM涨价幅度将持续收窄，HBM再度成为拉动业绩的关键王牌。一季度通用DRAM价格环比涨幅接近翻倍，业内预估二季度涨幅回落至30%~50%，三季度涨幅进一步收窄至0~20%。

反观HBM，市场需求持续扩张，价格上涨行情仍将延续一段时间，稳固其高收益核心产品的地位。

业内相关人士表示：“三星电子率先量产HBM4，良率提升带来供货量、利润双增长，相关利好已在二季度财报中充分体现。该增长趋势预计延续至下半年，三大存储厂商之间的良率提升竞争将会愈发白热化。”